≥1:
1366.25026 руб.
Здравствуйте, ! Войти или Зарегистрироваться сейчас
APP Справочник Прямая трансляция 290K likes UtsourceКупить(0)
Запрос цены(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Добавить адрес
Новый адрес для отправки грузов
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страныОтбор от поисковых итогов :
The NEO-5Q-0-002 is a GPS module manufactured by Ublox. It is a high-performance GPS receiver module with an integrated antenna. It is designed for applications that require high accuracy and low powe
Наличность:5000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: APT2X61D60J is an IGBT module manufactured by Advanced Power Technology (APT). It is a 600V, 2x61A, dual IGBT module. Features: 600Voltage rating 2x61A current rating Low switching lo
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
2SA1302 and 2SC3281 are PNP and NPN silicon epitaxial transistors, respectively, in a TO-3PL package. Description: 2SA1302: This is a PNP silicon epitaxial transistor designed for use in power ampli
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:10
В избранное
Description: The KBU606 6A600V SEP DIP4 is a high-power, fast-recovery rectifier diode. It is designed for high-frequency switching applications. Features: -High power rating of 6A and 600V -High-fre
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:10
В избранное
SOT-89
Mitsubishi
2018+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2 Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:4
В избранное
Description: Infineon IGBT Module Features: - High power density - Low switching losses - Low noise operation - High reliability - High temperature operation - Easy to use Applications: - Automotive -
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: Infineon IGBT Module Features: Low switching losses Low conduction losses High short-circuit capability High frequency operation Low inductance Low stray inductance Low EMI High s
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:30000
Минимальное количество заказа:30
В избранное
Наличность:5000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:5000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
The GIPN3H60 is a three-phase IGBT module manufactured by Infineon. It is designed for use in high power switching applications such as motor drives, UPS systems, and solar inverters. The module feat
Наличность:5000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:10
В избранное
Description: The PS21353-NP is a high-speed, low-power, low-voltage, low-saturation, N-channel MOSFET module from Mitsubishi. Features: Low on-resistance Low input capacitance Low input/out
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:10
В избранное
Description: KBPC1510 is a 15A 1000V bridge rectifier. It is a four-pin device with a single-phase full-wave rectification. Features: High surge current capability Low forward voltage drop Low rev
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:10
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
TO-220
Mitsubishi
2018
Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HVF1 Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
Description: RD06HVF1-501 is a N-channel power MOSFET manufactured by Mitsubishi. Features: Drain-Source Voltage: 60V Drain Current: 6A RDS(on): 0.065Ω Gate-Source Voltage: ±20V Operating Temper
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: This is a 600V, 20A, N-channel IGBT module from Fairchild Semiconductor. Features: Low gate charge Low saturation voltage High speed switching High current handling capability Low t
Наличность:5000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:11
В избранное
Остановить производство экспертов, мы можем предоставить большое количество электронных компонентов, которые были остановлены производства и которые трудно найти, чтобы облегчить обслуживание компании